BSP321PH6327XTSA1

Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP321PH6327XTSA1, 980 mA, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装

SIPMOS® P 通道 MOSFET

**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。

· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）

· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准

欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP321PH6327XTSA1, 980 mA, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装

得捷:
MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4

立创商城:
P沟道 100V 980mA

贸泽:
MOSFET SIPMOS Sm-Signal 900mOhm -100V 980mA

e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -980 mA, -100 V, 0.689 ohm, -10 V, -3 V

艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this BSP321PH6327XTSA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 1800 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes sipmos technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

安富利:
Trans MOSFET P-CH 100V 0.98A 4-Pin SOT-223 T/R

TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.79A; 1.8W; PG-SOT223

Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 0.98A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

Win Source:
MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223