SPB80P06PGATMA1

INFINEON  SPB80P06PGATMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -60 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V

SIPMOS® P 通道 MOSFET

**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。

· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）

· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准

欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB80P06PGATMA1, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

得捷:
MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin TO-263 T/R

TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO263-3

Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Newark:
# INFINEON  SPB80P06PGATMA1  MOSFET Transistor, P Channel, -80 A, -60 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V

力源芯城:
-60V,-80A,P沟道功率MOSFET