2SD1766 T100R

NPN三极管 40V 2A 100MHz 180~390 500mV SOT-893 代码 DBR

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | 32V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | 2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 180~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation | 500mW/0.5W Description & Applications |
Features

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Low VCEsat. VCEsat = 0.5V Typ. IC / IB = 2A / 0.2A
structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 描述与应用 | 特点 *低VCE（SAT）。 VCE（饱和）= 0.5V （IC / IB=2A/0.2A） 结构 外延平面型 NPN硅晶体管