CMT2N7002

CMT2N7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 024V 密度电池设计极低的RDS

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V

\---|---

最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20v

最大漏极电流Id Drain Current| 115mA/0.115A

源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 75Ω/Ohm 50mA,5V

开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.4-1.3V

耗散功率Pd Power Dissipation| 225mW/0.225W

Description & Applications| High Density Cell Design for Low RDSON Voltage Controlled Small Signal Switch Rugged and Reliable High Saturation Current Capability

描述与应用| 高密度电池设计低RDS（ON） 电压控制小信号开关 坚固可靠 高饱和电流能力