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MLG0402Q3N1ST000

3.1nH 200mA

3.1 nH 无屏蔽 多层 器 200 mA 900 毫欧最大 01005(0402 公制)


得捷:
FIXED IND 3.1NH 200MA 900MOHM SM


艾睿:
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 3.1nH 0.3nH 100MHz 2Q-Factor Ceramic 200mA 900mOhm DCR 01005 T/R


安富利:
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MLG0402Q3N1ST000 TDK 东电化
MLG0603P1N2CT000 TDK 东电化
MLG0603P0N8CT TDK 东电化
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MLG0603P12NJT TDK 东电化
MLG0603P15NJT TDK 东电化
MLG0603P22NJT TDK 东电化
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MLG0603P39NJT TDK 东电化
MLG0603P47NJT TDK 东电化
MLG0603P1N3CT000 TDK 东电化