DMP3030SN-7

DMP3030 系列 20 V 250 mOhm P 沟道 增强模式 场效应 晶体管 -SC59

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage | ±20V 最大漏极电流IdDrain Current | 0.7A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 0.35Ω~0.45Ω VGS = -4.5V, ID = -0.4A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -1.0v~-3.0v 耗散功率PdPower Dissipation | 500mw/0.5w Description & Applications | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR.

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Low On-Resistance . * Low Gate Threshold Voltage . * Low Input Capacitance . * Fast Switching Speed. 描述与应用 | P沟道增强型场效应 。 *低导通电阻。 *低栅极阈值电压。 *低输入电容。 *开关速度快。