TPCF8101

TPCF8101 P沟道MOS场效应管 -12V -6A 28毫欧 vs-8 marking/标记 F3A 便携式设备应用 低漏电流 低导通电阻

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -12V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -6A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 28mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -3A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.5~-1.2V 耗散功率PdPower Dissipation| 2.5W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type U-MOS III Notebook PC Applications Portable Equipment Applications • Low drain-source ON resistance: RDS ON = 22 mΩ typ. • High forward transfer admittance: |Yfs| = 14 S typ. • Low leakage current: IDSS = −10 μA max VDS = −12 V • Enhancement model: Vth = −0.5 to −1.2 V VDS = −10 V, ID = −200 μA 描述与应用| 场效应晶体管硅P沟道MOS类型（U-MOS III） 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 •低漏源导通电阻RDS（ON）= 22mΩ（典型值） •高正向转移导纳：| YFS|=14 S（典型值） •低漏电流：IDSS= -10μA（最大）（VDS=-12 V） •增强模式：Vth =-0.5〜-1.2 V （VDS= -10 V，ID= -200μA）