N沟道,40V,162A,4mΩ@10V
Description
Seventh Generation HEXFETÆPower MOSFETs from utilize advanced processing
techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead-Free
| 图片 | 型号 | 厂商 | 下载 |
|---|---|---|---|
 | IRF1404SPBF | International Rectifier 国际整流器 | |
 | IRF1407STRLPBF | International Rectifier 国际整流器 | |
 | IRF1010ESPBF | International Rectifier 国际整流器 | |
 | IRF1607PBF | International Rectifier 国际整流器 | |
 | IRF1902PBF | International Rectifier 国际整流器 | |
 | IRF1018EPBF | International Rectifier 国际整流器 | |
 | IRF1010EZSTRLP | International Rectifier 国际整流器 | |
 | IRF1010NSPBF | International Rectifier 国际整流器 | |
 | IRF1010NPBF | International Rectifier 国际整流器 | |
 | IRF1310NSPBF | International Rectifier 国际整流器 | |
 | IRF1010ZSTRLPBF | International Rectifier 国际整流器 |
