IDW30G65C5

INFINEON  IDW30G65C5  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 30 A, 42 nC, TO-247

肖特基, Io=30A, Vrev=650V, 3引脚 TO-247封装

立创商城:
650V 30A 1.5V@30A

得捷:
DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247-3

欧时:
### thinQ!™ 碳化硅 SiC 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon

Chip1Stop:
Diode Schottky 650V 30A 3-Pin3+Tab TO-247

TME:
Diode: Schottky rectifying; THT; 650V; 30A; 150W; PG-TO247-3