BCP55-10

NXP  BCP55-10  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 60V

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集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 60V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1A

截止频率fTTranstion FrequencyfT| 130MHz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 63~160

管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V

耗散功率PcPower Dissipation| 1.33W

Description & Applications| NPN medium power transistor FEATURES • High current max. 1 A • Low voltage max. 80 V. APPLICATIONS • Switching.

描述与应用| NPN中等功率 特点 •高电流（最大1 A） •低电压（最大80 V）。 应用 •开关。