BCW61D

NXP  BCW61D  晶体管 双极-射频, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 630 hFE 新

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −32V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 380~630 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| GENERAL PURPOSE TRANSISTOR FEATURES • Low current max. 100 mA • Low voltage max. 32 V. APPLICATIONS • General purpose switching and amplification 描述与应用| PNP通用 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大32 V）。 应用 •通用开关和放大