FDZ375P

PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

PowerTrench® P 通道 MOSFET， Semiconductor

PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。

最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。

PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

欧时:
Fairchild Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 FDZ375P, 3.7 A, Vds=20 V, 4引脚 WLCSP封装

得捷:
MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 4-Pin WLCSP T/R

安富利:
Designed on Fairchild"s advanced 1.5 V PowerTrench® process with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, the FDZ375P minimizes both PCB space and rDSon. This advanced WLCSP MOSFET embodies a breakthrough in packaging technology which enables the device to combine excellent thermal transfer characteristics, ultra-low profile packaging, low gate charge, and low rDSon.

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 4-Pin WLCSP T/R

DeviceMart:
MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1

Win Source:
MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1