CIL21J1R0KNE

Samsung Electro-Mechanics CIL 系列 CIL21J1R0KNE 1 μH ±10% 铁氧体 多层贴片式电感器, 0805 2012M封装

1 µH 屏蔽 - 器 50 mA 300 毫欧最大 0805（2012 公制） -

得捷:
FIXED IND 1UH 50MA 300 MOHM SMD

艾睿:
Inductor Chip Shielded Multi-Layer 1uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 50mA 300mOhm DCR 0805 T/R

Verical:
Inductor Chip Shielded Multi-Layer 1uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 50mA 300mOhm DCR 0805 T/R

儒卓力:
**CIL21J 1µH 50mA 10% MLT **