2SK2493

2SK2493 N沟道场效应管 16V 5A TO252 代码 K2493 2.5-V栅极驱动 低漏源导通电阻 斩波稳压器和DC-DC转换

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | 16V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage | ±8V 最大漏极电流IdDrain Current | 5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 0.08Ω~0.12Ω @VGS=2.5V,ID=2.5A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | Vth = 0.5 to 1.1 V VDS = 10 V, ID = 1 mA 耗散功率PdPower Dissipation | 20W Description & Applications | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type π−MOSV. Chopper Regulator and DC−DC Converter Applications.

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2.5-V gate drive. * Low drain−source ON resistance : RDS ON = 0.08 mΩ typ.. * High forward transfer admittance : |Yfs| = 8.0 S typ.. * Low leakage current : IDSS = 100 μA max VDS = 16 V. * Enhancement mode : Vth = 0.5 to 1.1 V VDS = 10 V, ID = 1 mA. 描述与应用 | 场效应 的硅N沟道MOS型（π-MOSV）。 斩波稳压器和DC-DC转换器应用。 *2.5-V栅极驱动。 *低漏源导通电阻RDS（ON）= 0.08mΩ（典型值）。 *较强的正向转移导纳：YFS|=8.0Ş（典型值）。 *低漏电流IDSS= 100μA（最大值）（VDS=16 V）。 *增强模式：VTH =0.5至1.1 V（VDS=10V，ID= 1毫安）。