IS42S16160G-7TLI

RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式

动态 RAM， ISSI

**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。

LVTTL 接口

有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘

可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度

每个时钟周期的随机列地址

自刷新和自动刷新模式

得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

立创商城:
IS42S16160G-7TLI 停产

欧时:
### 动态 RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM

贸泽:
动态随机存取存储器 256M 16Mx16 143MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

e络盟:
DRAM, 16M x 16bit, 7ns, LVTTL接口, TSOP-II-54

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II

安富利:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II

Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II

TME:
Memory; SDRAM; 4Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP54 II; -40÷85°C; 3.3VDC

Verical:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II

Newark:
# INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI  IS42S16160G-7TLI  SDRAM, SDR, 256MBIT, 3.3V, 54TSOPII

Win Source:
IC SDRAM 256M 143MHZ 54TSOP