SSM6N05FU

SSM6N05FU 复合场效应管 20V 400mA/0.4A SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 DF 高速开关

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| 400mA/0.4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 800mΩ@ VGS = 4V, ID = 200mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.6~1.1V 耗散功率PdPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications ●Small package ●Low on resistance : Ron = 0.8 Ω max @VGS = 4 V Ron = 1.2 Ω max @VGS = 2.5 V ●Low gate threshold voltage 描述与应用| 场效应的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 ●小型封装 ●低导通电阻RON =0.8Ω（最大值）（@ VGS=4 V） RON=1.2Ω（最大）（@ VGS= 2.5 V） ●低栅极阈值电压