DDTC114EE-7-F

特性外延平面电路小片建设互补PNP类型有（DDTA）内置偏置电阻R1= R2无铅/ RoHS标准

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 50mA 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 10KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 30 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.15W/150mW Description & Applications| Features Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Types AvailableDDTA Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 Lead Free/RoHS Compliant 描述与应用| 特性 外延平面电路小片建设 互补PNP类型有（DDTA） 内置偏置电阻R1= R2 无铅/ RoHS标准