R1LV1616RBG-5SI#B0

SRAM，R1LV 系列，Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出：OR-tie 能力 ### SRAM（静态随机存取存储器）

低功率 SRAM，R1LV 系列，

R1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。

单 2.7V 至 3.6V 电源

小待机电流

无时钟、无需刷新

所有输入和输出均兼容 TTL

三态输出：OR-tie 能力

### SRAM（静态随机存取存储器）

得捷:
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA

欧时:
### 低功率 SRAM，R1LV 系列，Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出：OR-tie 能力 ### SRAM（静态随机存取存储器）

艾睿:
SRAM Chip Async Single 3V 16M-bit 2M/1M x 8/16-bit 55ns 48-Pin TFBGA Tray

Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3V 16M-Bit 2M/1M x 8/16-Bit 55ns 48-Pin TFBGA

Verical:
SRAM Chip Async Single 3V 16M-bit 2M/1M x 8/16-bit 55ns 48-Pin TFBGA Tray

儒卓力:
**SRAM 1Mx16 55ns FBGA48 adv. **

Win Source:
IC SRAM 16MBIT 55NS 48FBGA