CSD17577Q3A

N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=35A P=2.8W

这款 30V，4.0mΩ，SON 3.3mm × 3.3mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。

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要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 50°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值

。最大 RθJC = 3.0°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

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低 Qg 和 Qgd

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低热阻

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雪崩额定值

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无铅

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符合 RoHS 环保标准

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无卤素

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小外形尺寸无引线 SON 3.3mm × 3.3mm 封装

## 应用范围

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网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压

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针对控制和同步 FET 应用进行了优化