BSS223PWH6327XTSA1

Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C

OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET

**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式

雪崩等级

低切换和传导功率损耗

无铅引线电镀；符合 RoHS 标准

标准封装

OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C

得捷:
MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3

欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSS223PWH6327XTSA1, 310 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323 SC-70封装

立创商城:
P沟道 20V 390A

e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -390 mA, -20 V, 0.7 ohm, -4.5 V, -900 mV

艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The BSS223PWH6327XTSA1 power MOSFET from Infineon Technologies provides the solution. Its maximum power dissipation is 250 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This device utilizes optimos technology. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 3-Pin SOT-323 T/R

TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323

Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R

Newark:
# INFINEON  BSS223PWH6327XTSA1  MOSFET, P-CH, -20V, -0.39A, SOT-323-3 New

Win Source:
MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323