EMH6

EMH6 NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 0.1A 150mW/0.15W SOT-563/EMT6 标记H6 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO Q1/Q2 | 50V/50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO Q1/Q2 | 50V/50 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC Q1/Q2 | 10MA/100MA Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 47KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 47KΩ/Ohm Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio | 1 Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 47KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 47KΩ/Ohm Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio | 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFEQ1/Q2 | 截止频率fT Transtion FrequencyfTQ1/Q2 | 250MHz/250MHZ 耗散功率Pc Power DissipationQ1/Q2 | 150mW/0.15W Description & Applications | Features •General purpose dual digital transistors •Two DTC144E chips in a EMT or UMT or SMT package. 描述与应用 | 特点 •通用（双数字晶体管） •两个DTC144E的在EMT或UMT或SMT封装的芯片