IXGH100N30C3

IGBT 分立，IXYS### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立，IXYS

### IGBT 分立元件和模块，IXYS

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

欧时:
IXYS IXGH100N30C3 N沟道 IGBT, Vce=300 V, 75 A, 3引脚 TO-247AD封装

得捷:
IGBT 300V 75A 460W TO247

贸泽:
IGBT 晶体管 100 Amps 300V

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 300V 75A 3-Pin3+Tab TO-247AD

富昌:
300V,100A , TO-247

Win Source:
IGBT 300V 75A 460W TO247