UPA1911TE

UPA1911TE P沟道MOS场效应管 -20V 2.5A 0.080ohm SOT-163 marking/标记 TC 2.5V驱动 低导通电阻

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| -12V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.080Ω @-1.5A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.5--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| FEATURES • Can be driven by a 2.5-V power source • Low on-state resistance RDSon1 = 115 mΩ MAX. VGS = –4.5 V, ID = –1.5 A RDSon2 = 120 mΩ MAX. VGS = –4.0 V, ID = –1.5 A RDSon3 = 190 mΩ MAX. VGS = –2.5 V, ID = –1.0A 描述与应用| •可以由一个2.5 V的电源 •低通态电阻 的RDS（on）1 =115mΩ最大。 （VGS= -4.5 V，ID=-1.5） 的RDS（on）2 =120mΩ最大。 （VGS= -4.0 V，ID=-1.5 A） 的RDS（on）3 =190mΩ最大。 （VGS= -2.5 V，ID=-1.0A）