BSS284

BSS284 P沟道MOS场效应管 -50V -130mA 5ohm SOT-23 marking/标记 SSD

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.13A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 5Ω @-130mA,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.8--1.8V 耗散功率PdPower Dissipation| 360mW/0.36W Description & Applications| SIPMOS ® Small-Signal Transistor • P channel • Enhancement mode • Logic Level • VGSth= -0.8...-1.6 V 描述与应用| SIPMOS®小信号晶体管 •P沟道 •增强模式 •逻辑电平 •VGS（TH）=-0.8...-1.6 V