MMBT3906LT1

通用晶体管（ PNP硅） General Purpose TransistorPNP Silicon

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −40V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −200mA/-0.2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 250MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| General Purpose Transistor Features • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 通用 特点 •无铅包可用