1972年，武汉无线电元件三厂编写的《光刻掩膜版的制造》32开66页，证实中国芯片光刻工艺研究的起步时间，比美国稍晚，跟日本差不多同时起步，比台韩早了10年。
1972年武汉无线电元件三厂
1964年中国科学院研制出65型接触式光刻机；1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩膜工艺；清华大学研制第四代分部式投影光刻机，并在1980年获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。而那时，光刻机巨头ASML还没诞生。
然而，中国在1980年代放弃电子工业，导致20年技术积累全部付诸东流。1994年武汉无线电元件三厂破产改制，卖副食品去了。
1970
年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。
1972
年，武汉无线电元件三厂编写《光刻掩模版的制造》。
1977
年，我国最早的光刻机-GK-3型半自动光刻机诞生，这是一台接触式光刻机。
1978
年，1445所在GK-3的基础上开发了GK-4，但还是没有摆脱接触式光刻机。
1980
年，清华大学研制第四代分步式投影光刻机获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。
1981
年，中国科学院半导体所研制成功JK-1型半自动接近式光刻机。
1982
年，科学院109厂的KHA-75-1光刻机，这些光刻机在当时的水平均不低，最保守估计跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年。
1985
年，机电部45所研制出了分步光刻机样机，通过电子部技术鉴定，认为达到美国4800DSW的水平。这应当是中国第一台分步投影式光刻机，中国在分步光刻机上与国外的差距不超过7年。
但是很可惜，光刻机研发至此为止，中国开始大规模引进外资，有了"造不如买”的思想。光刻技术和产业化，停滞不前。放弃电子工业的自主攻关，诸如光刻机等科技计划被迫取消。
九十年代以来，光刻光源已被卡在193纳米无法进步长达20年，这个技术非常关键，这直接导致ASML如此强势的关键。直到二十一世纪，中国才刚刚开始启动193纳米ArF光刻机项目，足足落后ASML20多年。
进入二十一世纪， 光刻机研发重新被国家所重视，并于2002年成立SMEE（上海微电子），“我们现在做这个东西，难度不亚于生产大飞机，影响力不低于当初研究原子弹。”
2002
年，刚刚成立的SMEE上海微电子装备有限公司承担了“十五”光刻机攻关项目，中电科45所把此前从事分步投影光刻机的团队迁到了上海，参与这个项目。
2008
年，“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”专项将ASML的EUV技术列为下一代光刻技术重点攻关的方向。国家计划在2030年实现EUV光刻机的国产化；
2015
年4月，北京华卓精科科技股份有限公司“65nmArF干式光刻机双工件台”通过整机详细设计评审，具备投产条件。
2016
年，上海微电子已经量产90纳米、110纳米和280纳米三种光刻机。
2017
年6月21日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所牵头研发的“极紫外光刻关键技术”通过验收。
2018
年11月29日，中科院研制的“超分辨光刻装备”通过验收。光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片。
SMEE计划2021年交付首台国产的28nm的immersion光刻机，和世界上最先进的ASML公司仍然具有20年左右的差距。
目前世界光刻机行业的现实情况，排在SMEE前面的参赛选手只剩下了3名，荷兰的ASML，日本的佳能和尼康。论分数，ASML如果是100分，佳能大概20分，尼康大概25分，SMEE大概5分。
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