NAVITAS、如何激发GaN“潜能”？这里有个方案送给你~

时间：2021-05-10 18:18:22

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大规模数据中心、企业服务器或电信交换站使得功耗快速增长，因此高效AC/DC电源对于电信和数据通信基础设施的发展至关重要。但是，电力电子行业中的硅MOSFET已达到其理论极限。同时，近来氮化镓(GaN)晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关，从而可提高能源转换效率和密度。为了发挥GaN晶体管的优势，需要一种具有新规格要求的新隔离方案。

GaN晶体管的开关速度比硅MOSFET要快得多，并可降低开关损耗，原因在于：

栅极电容和输出电容更低。
较低的漏源极导通电阻(R_DS(ON))可实现更高的电流操作，从而降低了传导损耗。
无需体二极管，因此反向恢复电荷(Q_RR)低或为零。

GaN晶体管支持大多数包含单独功率因数校正(PFC)和DC-DC部分的AC/DC电源：前端、无电桥PFC以及其后的LLC谐振转换器（两个电感和一个电容）。此拓扑完全依赖于图1所示的半桥和全桥电路。

图1. 适合电信和服务器应用的典型AC/DC电源。

如果将数字信号处理器(DSP)作为主控制器，并用GaN晶体管替换硅MOSFET，就需要一种新的隔离技术来处理更高的开关频率。这主要包括隔离式GaN驱动器。

典型隔离解决方案和要求

UART通信隔离

从以前的模拟控制系统转变为DSP控制系统时，需要将脉宽调制(PWM)信号与其他控制信号隔离开来。双通道ADuM121可用于DSP之间的UART通信。为了尽量减小隔离所需系统的总体尺寸，进行电路板组装时使用了环氧树脂密封胶。小尺寸和高功率密度在AC/DC电源的发展过程中至关重要。市场需要小封装隔离器产品。

PFC部分隔离

与使用MOS相比，使用GaN时，传输延迟/偏斜、负偏压/箝位和 ISO栅极驱动器尺寸非常重要。为了使用GaN驱动半桥或全桥晶体管，PFC部分可使用单通道驱动器ADuM3123，LLC部分则使用双通道驱动器ADuM4223。

为隔离栅后的器件供电

ADI的 isoPower^?技术专为跨越隔离栅传输功率而设计，ADuM5020紧凑型芯片解决方案采用该技术，能够使GaN晶体管的辅助电源与栅极的辅助电源相匹配。

隔离要求

为了充分利用GaN晶体管，要求隔离栅极驱动器最好具有以下特性：

最大允许栅电压<7 VV
开关节点下dv/dt>100 kV/ms ，CMTI为100 kV/μs至200 kV/μs
对于650 V应用，高低开关延迟匹配≤50 ns
用于关断的负电压箝位(–3 V)

有几种解决方案可同时驱动半桥晶体管的高端和低端。关于传统的电平转换高压驱动器有一个传说，就是最简单的单芯片方案仅广泛用于硅基MOSFET。在一些高端产品（例如，服务器电源）中，使用ADuM4223双通道隔离驱动器来驱动MOS，以实现紧凑型设计。但是采用GaN时，电平转换解决方案存在一些缺点，如传输延迟很大，共模瞬变抗扰度(CMTI)有限，用于高开关频率的效果也不是很理想。与单通道驱动器相比，双通道隔离驱动器缺少布局灵活性。同时，也很难配置负偏压。表1对这些方法做了比较。

表1. 驱动GaN半桥晶体管不同方法的比较

图2. 在isoPower器件中实现UART隔离和PFC部分隔离，需要采用iso技术及其要求。

对于GaN晶体管，可使用单通道驱动器。ADuM3123是典型的单通道驱动器，可使用齐纳二极管和分立电路提供外部电源来提供负偏压（可选），如图3所示。

图3. 用于GaN晶体管的单通道、隔离式isoCoupler驱动器。

新趋势：定制的隔离式GaN模块

目前，GaN器件通常与驱动器分开封装。这是因为GaN开关和隔离驱动器的制造工艺不同。未来，将GaN晶体管和隔离栅驱动器集成到同一封装中将会减少寄生电感，从而进一步增强开关性能。一些主要的电信供应商计划自行封装GaN系统，构建单独的定制模块。从长远来看，用于GaN系统的驱动器也许能够集成到更小的隔离器模块中。如图4所示，ADuM110N (等微型单通道驱动器（低传输延迟、高频率）和isoPower ADuM5020设计简单，可支持这一应用趋势。