SILICONIX、提高了功率密度和效率同时有助于减少元器件数量的n沟道MOSFET半桥功率级模块

在生活中，你可能接触过各种各样的电子产品，那么你可能并不知道它的一些组成部分，比如它可能含有的**，那么接下来让小编带领大家一起学习n沟道MOSFET半桥功率级模块。

日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款30 V n沟道MOSFET半桥功率级模块---SiZF300DT，将高边TrenchFET®和低边SkyFET®MOSFET与集成式肖特基二极管组合在一个小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm封装中。Vishay Siliconix SiZF300DT提高了功率密度和效率，同时有助于减少元器件数量，简化设计，适用于计算和通信应用功率转换。

NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。

日前发布器件中的两个MOSFET采用半桥配置内部连接。 通道1 MOSFET在10 V和4.5 V条件下，最大导通电阻分别为4.5 mW和7.0 mW。通道2 MOSFET在10 V和4.5 V条件下，导通电阻分别为1.84 mW和2.57 mW。两个MOSFET典型栅极电荷分别为6.9 nC和19.4 nC。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

SiZF300DT比6mm x 5mm封装类似导通电阻的双片器件节省65 %的空间，是市场上最紧凑的集成产品之一。器件为设计人员提供节省空间的解决方案，适用于图形加速卡、计算机、服务器以及通信和RF网络设备的负载点(POL)转换、电源以及同步降压和DC / DC转换器。

在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底(提供大量可以动空穴)上，制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极(通常是多晶硅)，作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)

双MOSFET采用独特的引脚配置结构，电流相位输出电流比相同占位面积的同类产品高11 %，此外，输出电流超过20 A时具有更高的效率。器件引脚配置和大PGND 焊盘还可以增强散热，优化电路，简化PCB布局。

相信通过阅读上面的内容，大家对n沟道MOSFET半桥功率级模块有了初步的了解，同时也希望大家在学习过程中，做好总结，这样才能不断提升自己的设计水平。