BQ2204ASNTR_存储器-控制器_德州仪器(TI)
时间：2021-02-05 22:50:00
包装信息
| 包装|销 | 包装数量|承运商： | 工作温度范围（°C） |
|---|---|---|
| SOIC（D）| 16 | 2500 |大型T&R 可提供定制卷盘 |
0到70 |
| 包装|销 | SOIC（D）| 16 |
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| 包装数量|承运商： | 2500 |大型T&R 可提供定制卷盘 |
| 工作温度范围（°C） | 0到70 |
BQ2204A的特点
- 用于3伏备用电池应用的电源监控和切换
- 写保护控制
- 用于控制多达4组SRAM的2输入解码器
- 3伏原电池输入
- 小于10ns的芯片启用传播延迟
- 5%或10%供应操作
BQ2204A说明
CMOS bq2204A SRAM非易失性控制器单元提供将多达四组标准CMOS SRAM转换为非易失性读/写存储器所需的所有功能。
精密比较器监测5V电压科科斯群岛超出公差条件的输入。当检测到超出公差时，四个有条件的芯片使能输出被强制停用，以对多达四组SRAM进行写保护。
在电源故障期间，外部SRAM从V科科斯群岛向两个3V备用电源之一供电。在随后通电时，SRAM将被写保护，直到存在电源有效条件。
在功率有效操作期间，双输入解码器透明地选择最多四组SRAM中的一组。
