CSD19537Q3T_晶体管-FET，MOSFET-单个_德州仪器(TI)
时间：2021-01-11 08:26:10
包装信息
| 包装|销 | 包装数量|承运商： | 工作温度范围（°C） |
|---|---|---|
| VSON-CLIP（DQG）| 8 | 250 |小型T&R |
-55至150 |
| 包装|销 | VSON-CLIP（DQG）| 8 |
|---|---|
| 包装数量|承运商： | 250 |小型T&R |
| 工作温度范围（°C） | -55至150 |
CSD19537Q3的功能
- 超低Q克和Q广东
- 低热阻
- 额定雪崩
- 无铅端子电镀
- 符合RoHS
- 无卤素
- SON 3.3mm×3.3mm塑料包装
CSD19537Q3的说明
这个100伏，12.1兆欧，子3.3毫米×3.3毫米NexFET? 功率MOSFET被设计成在功率转换应用中最小化损耗。
