CSD88539NDT_射频晶体管_德州仪器(TI)
时间：2021-01-08 02:49:20
包装信息
| 包装|销 | 包装数量|承运商： | 工作温度范围（°C） |
|---|---|---|
| SOIC（D）| 8 | 250 |小型T&R |
-55至150 |
| 包装|销 | SOIC（D）| 8 |
|---|---|
| 包装数量|承运商： | 250 |小型T&R |
| 工作温度范围（°C） | -55至150 |
CSD88539ND的功能
- 超低Q克和Q广东
- 额定雪崩
- 无铅
- 符合RoHS
- 无卤素
CSD88539ND的说明
这种双SO-8，60v，23mΩNexFET功率MOSFET被设计成在小电流电机控制应用中充当半桥。
