CSD75208W1015_射频晶体管_德州仪器(TI)
时间：2021-01-08 19:43:14
包装信息
| 包装|销 | 包装数量|承运商： | 工作温度范围（°C） |
|---|---|---|
| DSBGA（YZC）| 6 | 3000 |大型T&R 可提供定制卷盘 |
-55至150 |
| 包装|销 | DSBGA（YZC）| 6 |
|---|---|
| 包装数量|承运商： | 3000 |大型T&R 可提供定制卷盘 |
| 工作温度范围（°C） | -55至150 |
CSD75208W1015的功能
- 双P沟道mosfet
- 公共源配置
- 占地面积小1 mm×1.5 mm
- 栅源电压钳位
- 栅极ESD保护–3 kV
- 无铅
- 符合RoHS
- 无卤素
所有商标均为其各自所有者的财产。
CSD75208W1015的说明
该器件设计用于在超低剖面上以尽可能小的外形提供最低的导通电阻和栅极电荷，并具有优异的热特性。低导通电阻加上小的占地面积和低剖面使该器件成为电池操作空间受限应用的理想选择。
