CSD25501F3_晶体管-FET，MOSFET-单个_德州仪器(TI)
时间：2021-01-10 17:04:08
包装信息
| 包装|销 | 包装数量|承运商： | 工作温度范围（°C） |
|---|---|---|
| 皮秒星（YJN）| 3 | 3000 |大型T&R 可提供定制卷盘 |
-55至150 |
| 包装|销 | 皮秒星（YJN）| 3 |
|---|---|
| 包装数量|承运商： | 3000 |大型T&R 可提供定制卷盘 |
| 工作温度范围（°C） | -55至150 |
CSD25501F3的功能
- 低导通电阻
- 超低Q克和Q广东
- 超小占地面积
- 0.7毫米×0.6毫米
- 低调
- 最大高度0.22-mm
- 集成ESD保护二极管
- 无铅无卤
- 符合RoHS
所有商标均为其各自所有者的财产。
CSD25501F3的说明
这是一个20伏，64兆欧，P通道的飞秒级?MOSFET的设计和优化使许多手持和移动应用的占地面积最小化。这项技术能够取代标准的小信号MOSFET，同时大大减小了封装面积。集成10-k?箝位电阻器（RC级)允许栅极电压（VGS公司)根据占空比，在最大内部栅极氧化值–6 V以上工作。闸门泄漏（IGSS公司)通过二极管的电压随着GS公司在–6 V以上增加。
