CSD13385F5T_晶体管-FET，MOSFET-单个德州仪器(TI)
时间：2021-01-09 09:06:24
包装信息
| 包装|销 | 包装数量|承运商： | 工作温度范围（°C） |
|---|---|---|
| 皮奥斯塔（YJK）| 3 | 250 |小型T&R |
-55至150 |
| 包装|销 | 皮奥斯塔（YJK）| 3 |
|---|---|
| 包装数量|承运商： | 250 |小型T&R |
| 工作温度范围（°C） | -55至150 |
CSD13385F5的功能
- 低导通电阻
- 低Q值克和Q广东
- 超小占地面积
- 1.53毫米×0.77毫米
- 低调
- 0.35-mm高
- 集成ESD保护二极管
- 额定>4-kV HBM
- 额定值>2-kVCDM
- 无铅无卤
- 符合RoHS
所有商标均为其各自所有者的财产。
CSD13385F5的说明
这是12伏，15兆欧，N通道飞秒? MOSFET技术的设计和优化使许多手持和移动应用的占地面积最小化。这项技术能够替代标准的小信号MOSFET，同时显著减小封装外形尺寸。
