CSD18511Q5A_晶体管-FET，MOSFET-单个德州仪器(TI)
时间：2021-01-07 11:22:21
包装信息
| 包装|销 | 包装数量|承运商： | 工作温度范围（°C） |
|---|---|---|
| VSONP（DQJ）| 8 | 2500 |大型T&R 可提供定制卷盘 |
-55至150 |
| 包装|销 | VSONP（DQJ）| 8 |
|---|---|
| 包装数量|承运商： | 2500 |大型T&R 可提供定制卷盘 |
| 工作温度范围（°C） | -55至150 |
CSD18511Q5A的特点
- 低RDS（开）
- 低热阻
- 额定雪崩
- 逻辑电平
- 无铅端子板
- 符合RoHS
- 无卤素
- SON 5-mm×6-mm塑料包装
CSD18511Q5A的说明
这个40伏，1.9兆欧，子5×6毫米NexFET? 功率MOSFET被设计用于将功率转换应用中的损耗降到最低。
