不同类型晶振相位噪声的特点分析

活性晶体振荡器常见的类型是XO一般来说，TCXO TCXO时，OCXO OCXO，它们之间的视觉差异，是更高精度频率，XO为±20?50ppm的，TCXO±0.1?5ppm的如，OCXO是±10?数百ppb级;的精度，其除了不同的要求，有时需要把重点放在另一个非常重要的参数，也就是相位噪声。继100MHZ晶体，例如，不同的条件，它们的相位噪声性能之下。

100MHz的用作频率，并且从上看振动模式切，以下三种常用晶体：AT切割三次谐波，AT切5泛音，SC切割5泛音。前者通常用于制造温度补偿晶体振荡器XO和TCXO，两种用于制造OCXO OCXO。这是因为：

非恒温条件下，频率温度为1。 AT切割晶体（-40~85)-40~85）小于SC切割晶体，适用于温度互补晶体振荡器和普通晶体振荡器。

2. AT切晶体的频率进行牵引率较大，适合于温补晶振。

5 3.良好的谐波晶体是比晶体的设计值Q 3泛音更高，相位噪声，老化，稳定性将更好，更合适的OCXO。

为了提高试验晶体的Q值与相位噪声环境之间的关系，选择了100M晶振的3种晶体结构进行分析试验。

3种晶体如下：

A.AT切3次泛音，Q值约为50K。

b. 在切割5个泛音时，Q值约为90K。

C.SC泛音削减约130K 5，Q值。

电路的基本经济结构相同，但有一些发展变化。

晶体不增加和恒定温度，电源是5V，4V使用的调节电压的主要的振动水平。

晶体 b 恒温至70度左右，电源为5v，主振级采用4v 电压。

晶体C恒温至90度，电源12V，主级采用8V电压。

输出信号幅度基本都在9dBm左右。

测试相噪结果如下：

之一。 10KHz的外观超越了相位噪声的远端：

1. 晶体C最好，这或许我们是因为使用了具有较高的电源工作电压，因此可以输出信噪比较好。

图2。晶体 a 的远端相位噪声优于晶体 b，这可能是基于以下两点:

2.1. 电路A晶体没有恒温和低热噪声。

2.2. 晶体A是三次运用泛音一般晶体，虽然Q值低，但谐振网络阻抗RS也低，因此主振级输出信号幅度影响较大，信噪比可以提高。

二。让我们看一个近端10HZ的相位噪声：

几种晶体结构没有影响太大的区别，恒温和非恒温也没有一个什么区别。

一般理论，晶体的相位噪声，这取决于近端的晶体，远端电路所决定。相位噪声是正比于晶体的第四功率的Q值的近端。但没有反映在我们的实验中，可能的原因是：

1、近端噪声仍然是电路的主要噪声源，没有发挥高 q 晶体效应。

图2。晶体的有载 q 值远低于无载 q 值，因此不同晶体的有载 q 值差别不大，相位噪声差别不大。

总结企业来说，在低噪声晶振的设计中，电路是非常具有重要的环节，振荡系统电路我们应该就是要使晶体的有载Q值不致下降到了很多，并且进行电路以及附加的噪声要足够小。一般性的设计中，不必一味追求晶体的高Q值（对老化率有要求的除外），用低成本的晶体结构加上自己设计提供良好的电路也能得到一些不错的相位噪声管理水平。