科技股分公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出两项全新的Cool™产物手艺：CoolGaN™双向（BDS）和CoolGaN™ Smart Sense。CoolGaN™ BDS领有卓越的软开关和硬开关功能，供应40 V、650 V 和 850 V电压双向开关，适用于挪移设置装备摆设USB端口、、和等。CoolGaN™ Smart Sense 产物拥有无损检测性能，简化了设想并进一步降低了功率消耗，同时将种种开关性能集成到一其中，适用于消费类 和。
CoolGaN™ BDS和CoolGaN™ Smart Sense
CoolGaN™ BDS低压产物分为650 V 和 850 V两个型号，接纳真正的常闭单片双向开关，拥有四种事情模式。该系列基于注入晶体管（GIT）手艺，领有两个带有衬底终端和自力断绝操纵的分立栅极。它们应用沟通的漂移区来阻断两个偏向的电压，即便在重复短路的情况下也具有卓越的功能，而且经由过程应用一个BDS接替四个传统晶体管，可进步服从、密度和可靠性，使使用可以或许从中受害并大幅勤俭本钱。在替换单相H4 、HERIC逆变器，和维也纳整流器中的背对背开关时，该系列器件可以或许优化功能，并且还可用于交换/直流或直流/交换中的单级源转换等。
CoolGaN™ BDS 40 V是一款基于英飞凌肖特基栅极自立手艺的常闭单片双向开关。它能阻断两个偏向的电压，而且经由过程单栅极共源极的设想进行了优化，以庖代电池供电花费产物中用作断开开关的背对背 。首款40 V CoolGaN™ BDS产物的 RDS(on) 值为 6 mΩ，后续还将推出一系列产物。相比背对背硅FET，应用40 V GaN BDS的好处包孕节减50% - 75%的面积、下降50%以上的功率消耗，以及缩小本钱。
CoolGaN™ Smart Sense产物拥有2 kV静电放电耐受才能，可连接到电流感应以完成峰值电流操纵和。电流检测呼应时候约为200 ns，小于即是一般控制器的消隐时候，拥有极高的兼容性。
应用这些器件可进步服从并勤俭本钱。与传统的150mΩ GaN晶体管相比，CoolGaN™ Smart Sense产物在RDSs(on) （比方 350 mΩ）更高的情况下，能以更低的本钱供应近似的服从和热功能。另外，这些器件与英飞凌的分立 CoolGaN™ 封装脚位兼容，无需举行结构返工和 PCB 重焊，进一步方便了应用英飞凌 GaN 器件的设想。
供货情形
6 mΩ型号的CoolGaN™ BDS 40 V工程样品现已上市，4 mΩ和9 mΩ型号的工程样品将于 2024 年第三季度上市。CoolGaN™ BDS 650 V的样品将于2024年第四季度推出，850 V的样品将于2025岁首年月问世。CoolGaN™ Smart Sense样品将于2024年8月推出。
