Nexperia将在汉堡投资2亿美元

德国汉堡，2024年6月28日：半导体制造商Nexperia本日发布，规划投资2亿美圆(约合1.84亿欧元)研发下一代宽禁带半导体产物(WBG)，比方(SiC)和(GaN)，并在汉堡工场创建出产根底办法。同时，晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能将会增添。此项投资是在该工场成立100周年之际，与汉堡经济部长Melanie Leonhard博士配合发布的。

为了餍足对高效功率半导体日趋增进的长时间需要，Nexperia将从2024年6月开端在德国研发和出产SiC、GaN和Si三种手艺。这一行动充沛揭示了Nexperia对电气化和数字化畛域关头手艺的无力支撑。SiC和GaN半导体使数据中央等高功率使用可以或许以卓越的服从运转，同时也是可再生动力使用和电动汽车的焦点构件。这些宽禁带手艺拥有伟大的后劲，对完成脱碳目的愈来愈首要。

Nexperia德国首席运营官兼常务董事Achim Kempe暗示：“这项投资牢固了咱们作为节能半导体当先供应商的位置，使咱们可以或许更负责任地应用可用电能。将来，咱们的汉堡晶圆厂将遮盖全系列的宽禁带半导体，同时还是最大的小旌旗灯号二极管和晶体管工场。咱们将连续果断施行咱们的计谋，为规范使用和高耗能使用出产高质量、拥有本钱效益的半导体，同时应答咱们这一代人面对的最大挑衅之一：餍足日趋增进的动力需要，同时缩小对环境的影响。”

第一条低压D-Mode GaN晶体管和SiC二极管生产线已于2024年6月投入应用。下一个里程碑将是创建现代化、经济高效的200毫米SiC MOSFET和GaN HEMT生产线。这些生产线将在将来两年内涵汉堡工场实现。同时，该项投资还将赞助进一步完成汉堡工场现有根底办法的自动化，并经由过程慢慢转向应用200毫米晶圆来扩充硅的产能。跟着洁净室地区的扩充，新的研发实验室正在建设中，以确保将来从研讨到出产的无缝过渡。

除了推进手艺前进外，Nexperia预计该行动还可以或许安慰本地经济进展。这些投资对保证和制造失业机遇以及加强欧盟半导体自给自足的才能做出了首要进献。Nexperia与大学和研讨机构亲近分工，相互分享业余常识并推进高素质的员工培训。Nexperia依赖于汉堡和全部欧洲的壮大研发生态体系开辟分工与合作，例如在纳米电子研讨中央IMEC的工业同盟规划(IIAP)中，特别是在手艺畛域，发挥着相当首要的感化。这些以及其余分工确保了Nexperia产物完成继续立异并在技术上拥有卓越体现。

Nexperia德国首席财政官兼常务董事Stefan Tilger暗示：“规划中的投资使咱们可以或许在汉堡开展宽禁带芯片的设想和出产。然而，SiC和GaN关于Nexperia来讲绝不是新领域。自2019年起，咱们的产物组合中就包孕GaN FET，而在2023年，咱们还与三菱机电分工，扩大了产物局限，加入了SiC二极管和SiC MOSFET。Nexperia是少数几家可以或许供应全线半导体手艺产物系列的供应商之一，包孕Si、SiC和涵盖了E-mode和D-mode的GaN。这意味着，咱们为客户供应了一站式办事，可以或许餍足他们所有的半导体需要。”

此项投资是Nexperia在汉堡洛克施泰特工场百年汗青中的又一个首要里程碑。自1924年Valvo Radioröhrenfabrik成立以来，该工场不息进展，往常为环球约四分之一的小旌旗灯号二极管和晶体管需要供应支撑。自2017年从NXP分拆以来，Nexperia在汉堡工场投入了少量资金，员工人数从950人增加到1,600人摆布，并将手艺根底办法进级到了最进步前辈的程度。这些继续的投入突显了公司致力于坚持行业当先位置并为环球客户供应立异解决计划的刻意。