英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率

【2024年6月25日，德国慕尼黑讯】跟着野生智能(AI)处理器对功率的请求日趋进步，服务器(PSU)必须在不超越服务器机架划定尺寸的情况下供应更高的功率，这首要是因为高等GPU的动力需要激增。到本十年终，每颗高等GPU芯片的能耗大概达到2千瓦或以上。这些需要以及更高请求的使用和相干特定客户需要的涌现，促使英飞凌科技股分公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)开辟电压650 V如下的SiC MOSFET产物。当初，英飞凌基于往年早些时间宣布的第二代(G2)CoolSiCTM手艺，推出全新CoolSiC™ MOSFET 400 V系列。全新MOSFET产物组合专为AI服务器的AC/DC级开辟，是对英飞凌比来颁布的PSU路线图的增补。该系列器件还适用于太阳能和储能体系(ESS)、变频机电操纵、工业和辅佐电源(SMPS)以及室庐修筑固态。

CoolSiC™ MOSFET 400 V TO-Leadless

英飞凌功率体系营业线负责人Richard Kuncic 暗示：“英飞凌供应的厚实高性能MOSFET和GaN晶体管产物组合可以或许餍足AI服务器电源对设想和空间的刻薄请求。咱们致力于经由过程CoolSiC™ MOSFET 400 V G2等进步前辈产物为客户供应支撑，推进进步前辈AI使用完成最高能效。”

与现有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列拥有超低的传导和开关消耗。这款AI服务器电源装配的AC/DC级接纳多级PFC，功率密度达到100 W/in³以上，而且服从达到99.5%，较应用650 V SiC MOSFET的解决计划提高了0.3个百分点。另外，因为在DC/DC级采用了CoolGaN™晶体管，其体系解决计划得以美满。经由过程这一高性能MOSFET与晶体管组合，该可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决计划提高了3倍以上。

全新MOSFET产物组合共包括10款产物：5款RDS(on) 级(11至45 mΩ)产物接纳开尔文源TOLL和D²PAK-7 封装以及.XT封装互连手艺。在Tvj = 25°C 时，其漏极-源极击穿电压为400 V，是以异常适宜用于2级和3级转换器以及同步整流。这些元件在刻薄的开关条件下拥有很高的稳重性，而且通过了100%的雪崩测试。高度稳重的CoolSiC™手艺与.XT互连手艺相结合，使这些半导体器件可以或许应答AI处理器功率请求渐变所造成的功率峰值和瞬态，而且凭仗连贯手艺和低正 RDS(on) 温度系数，即便在结温较高的事情条件下也能发扬卓越的功能。

供货情形

CoolSiC™ MOSFET 400 V产物组合的工程样品现已宣布，并将于 2024年10月开端量产。