新唐科技推出 M2L31 微控制器：提升能效与性能

• 新唐科技推出 M2L31

• 低功耗 MCU

• 接纳 Arm Cortex-M23

• 失常运转电流为 60 μA/MHz

• 深度掉电模式下功耗仅0.5 μA

• 新型高性能 ReRAM (电阻式内存)

• 支撑 USB Type-C PD 3.0

• 内建 64 到 512 Kbytes 的 ReRAM

• 多种封装选项

台湾新竹-2024 年 6 月 20 日-在能效相当首要的时期，新唐科技发布推出全新的 Arm Cortex-M23 M2L31 微控制器系列。为餍足对高效能嵌入式计较需要日趋增进的需要，M2L31 系列以其低功耗和高效能脱颖而出，运转速率可达 72MHz，能供应卓着的处置才能。

新唐 NuMicro M2L31 微控制器，接纳 Arm Cortex-M23 焦点，并配有 64 到 512 Kbytes 的 ReRAM(电阻式内存)和 40 到 168 Kbytes 的 SRAM，是一款为可持续性和优异能效设想的低功耗产物。M2L31 系列支撑两个 CAN FD 和两个 USB Type-C PD 3.0 接口，并优先思量稳重的平安功能来维护珍贵的数据数据。

低功耗高性能使用的微控制器

NuMicro M2L31 系列关于电池治理、工业自动化和花费性接口设置装备摆设等需高能效的使用而言，是一个突破性产物。卓着的低功耗才能显著晋升电池寿命，缩小频仍改换电池的需要。

M2L31 供应三种低功耗模式：失常掉电、待机掉电和深度掉电。这些模式依据使用需要量身定制，在下降能耗的同时，并确保不影响性能的失常运转。微控制器的典范运转电流在失常模式下仅为 60 μA/MHz，而在深度掉电模式下更是降至 0.5 μA。 其在无需 CPU 干涉干与的情况下，经由过程低功耗串行接口自力处置核心数据收集和数据处置的才能，为高效能自动化设立了新的规范。

芯片内建 ReRAM 优于传统闪存

M2L31 系列逾越了传统的 MCU，整合了基于与台积电分工开辟的制程手艺的 ReRAM。这类新型非挥发性内存透过防止传统闪存中耗时的「擦除后写入」进程，加快了写入操纵，同时供应了更低的能耗和更好的耐用性。

已往ReRAM 首要用于 DRAM 或 NAND 闪存市场。跟着新唐科技下一代 M2L31 的推出，工业和花费性畛域的开辟职员也能享受到 ReRAM 的诸多上风。

普遍的周边接口与步伐开辟支撑

为餍足多样的设想需要并下降尺寸和本钱，M2L31 系列支撑普遍的 I/O 和核心设置装备摆设，包孕 UART、I²C、SPI/ I²S 和多个 USB 选项，并支撑多达 16 通道的电容触控。多种芯片封装选项确保了与其他新唐产物的兼容性，餍足大多数使用需要。

新唐科技致力于为开辟职员供应壮大的生态体系，包孕 M2L31 NuMaker 开发板和 Nu-Link 除错器。M2L31 系列兼容多种 IDE，如 Keil MDK、IAR EWARM 和 NuEclipse IDE，应用 GNU GCC 编译步伐。还支撑多种步伐更新要领，如 ISP 和 IAP，简化体系进级和软件更新，为开辟职员和使用者供应了最大的灵活性和便利性。