常识星球(星球名:与封测手艺社区,星球号:63559049)里的学员问:后都市退火,退火的感化是什么?不退火行不行?离子注入对造成哪些影响?
离子注入时,高能的杂质离子加快撞击硅片外貌,将其动能转化为热能和位移能,惹起硅原子的迁徙和重排,破坏了硅的晶格布局,会发生位错、空地等缺点。此外,杂质离子被注入进入硅中后,这些离子大多停留在晶格间隙中,并不能很精准地进入到对应的晶格点阵地位,那末就很难起到改良硅导电性的搀杂感化。
离子注入后退火的感化?
离子注入后退火是必弗成少的步调,退火的感化有:
1,修复:退火工艺经由过程低温,使硅原子取得足够的能量举行散布和迁徙,从新排列成有序的晶格布局。原子在退火过程当中逐步移动到能量最低的地位,位错、空地等逐步缩小直至消逝,从而缩小晶格中的缺点和应力。
2,激活:退火使这些搀杂离子(As,P,B)在硅晶格中散布,进入晶格点阵地位,与硅原子构成共价键,构成稳固的搀杂原子。搀杂浓度漫衍匀称,电学活性进步,完成所需的导电特点。
接待到场我的常识星球社区,今朝社区有1600人摆布,是海内最大的半导体创造进修平台。在这里会针对学员题目答疑解惑,上千个半导体行业材料同享,内容比文章厚实不少不少,适宜倏地晋升半导体创造才能,先容以下: 《接待到场作者的芯片常识社区!》

