CGD新型ICeGaN GaN功率IC使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率

2024 年 6 月 11日

英国剑桥 - 无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效氮化镓(GaN)功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 本日推出接纳新鲜的芯片和封装设想的、超低导通电阻(RDS(on)) ICeGaN™ GaN 功率 IC ，将 GaN 的上风提供给、、机电驱动器和其余工业电源等高功率使用。新型 ICeGaN™ P2系列 IC RDS(on)低至25 mΩ，支撑多kW功率使用，并供应超高服从。

ANDREA BRICCONI | CGD 首席商务官

“野生智能的爆炸性增进致使动力损耗的显著增添，促使数据中央体系设计师优先思量将 GaN 用于高功率、高效的功率解决计划。CGD这一新系列 GaN 功率 IC 支撑咱们的客户和分工火伴在完成跨越100 kW/机架的功率密度，餍足高密度计较的最新 TDP(热设想功率)趋向的请求。在机电操纵逆变器方面，开辟职员正在应用 GaN 来缩小热量，取得更小、更速决的体系功率。以上两个市场恰是CGD ICeGaN 功率 IC 当初的目的市场。简化的栅极驱动器设想和下降的体系本钱，再加上进步前辈的高性能封装，使 P2 系列 IC 成为这些使用的绝佳抉择。”

ICeGaN 功率 IC 集成为了米勒箝位以排除高速开关过程当中的击穿消耗，并完成了0V关断从而最大限度地缩小反领导通消耗，其功能优于分立 eMode GaN 和其余现有手艺。新的封装供应了低至0.28 K/W的改良的热阻功能，与市场上任何其余产物比拟拥有至关或加倍优秀的功能。其双面 DHDFN-9-1(双散热器 DFN)封装的双极引脚设想有助于优化 PCB 结构和简略并联以完成可扩展性，使客户可以或许轻松处置高达多kW的使用。经由设想新型封装不但提高了产量，其侧边可湿焊盘手艺，更便于光学查抄。

用户当初可申请 CGD 新型 P2 系列 ICeGaN 功率 IC 样品。该系列包孕四款 RDS(on) 产物为25 mΩ和55 mΩ，额外电流为60 A和27 A的产物。产物接纳10 妹妹 x 10 妹妹封装 DHDFN-9-1和 BHDFN-9-1(底部散热器DFN)封装。与所有CGD ICeGaN产物同样，P2系列能够应用任何规范 MOSFET 或 IGBT 驱动器举行驱动。

现有2款接纳新型 P2 产物演示板可供展示：一款是 CGD 与法国大众研发机构 IFP Energies nouvelles 分工开辟的单相变三相汽车演示板;另外一款是3kW图腾柱功率因数校订演示板。

新型 P2 系列 ICeGaN™ 产物系列 GaN 功率 IC 和演示板将于2024年6月11日至13日在德国纽伦堡进行的 PCIM 展览上初次地下展示。CGD 的展位号为7-643。接待用户到临观光和懂得这些产物。