快恢复晶体二极管的内部电路

　　快复原二极管的外部布局与一般二极管分歧，它属于PIN结型晶体二极管，即在P型、 N型硅资料旁边增加了基区I，组成PIN硅片。因为基区很薄，反向复原电荷很小，不但大 大减少了反向复原时候，还降低了瞬态正向压降，使管子能经受很高的反向事情电压。快 复原二极管的反向复原时候普通为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几 千安培，反向击穿电压（耐压值）可达几百到几千伏。超快复原二极管的反向复原电荷进 一步减小，使其反向复原时候可低至几十纳秒。

　　平日，5A如下的快复原晶体二极管接纳DO—41、DO—15或DO—27等规格塑料封装， 5～20A的快复原晶体二极管接纳TO—220塑料封装，几十安培的快复原晶体二极管接纳 TO—3P金属壳封装，更大容量（几百安培至几千安培）的管子则接纳螺栓型或平板型封装 方式。接纳TO—220或TO—3P封装的大功率快复原晶体二极管，从外部布局看，有单管和 对管（又称双管）之分。对管外部包括两只快复原晶体二极管，依据两只晶体二极管接法 的分歧，又有共阴对管、共阳对管之分。5—41（a）是C20—04型快复原二极管（单管）的外部布局。图5—41（b），（c）分别是C92—02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）超 快复原二极管的组织。它们均接纳TO—220塑料封装。部份快复原晶体二极管的形状如图5—42 所示。