MOSFET颠覆和恢复

　　这个设法主意是，组件冗余（在这类情况下是配对的 MOSFET）将同意一个 MOSFET 依然失常事情，纵然因为宇宙射线事情、单粒子翻转或 SEU（图 1）致使开关电源中的配对 MOSFET 无奈失常开关。

　　图 1宇宙射线发生的 SEU 可致使组件毛病。
　　然而，SEU 不一定来自宇宙射线。CMOS 集成电路有时会无缘无故地涌现闩锁征象。闩锁征象来自外部四层布局，这些布局看起来异常像 SCR，触发时简直能够将 +Vcc 导轨引脚短路至空中。与功率 MOSFET 的情形分歧，组件冗余多是不可能的。在这类情况下，SEU 复原多是谜底。

　　图 2是概念性的，但它源自于在更庞杂的设想中应用的实践电路。

　　图 2 SEU 复原观点，此中绿色电路轻易产生闩锁。
　　基础思绪是，绿色的 Q1、Q2 等代表轻易产生闩锁的集成电路，多是 CMOS，而蓝色的 V1 等代表闩锁触发器。黄色的 RC 对延迟了闩锁复原进程，是以能够在示波器上更轻松地看到复原场景，但咱们很快就会移除该 RC 对。
　　当 IC 锁存时，它会拉低 +5 伏稳压器的输入。当该电压低于比拟器阈值（如图所示为 +3 伏）时，比拟器会向功率 MOSFET 发送驱动脉冲，从而进一步下降轨电压，使 IC 锁存器无奈维持。当功率 MOSFET 再次封闭时，+5 伏稳压器输入电压复原失常。

　　假如咱们当初排除该 RC 耽误，情形将以沟通的体式格局举行，但在这个模仿中，统统都发生得太快，以至于闩锁器件的饱和电压无奈在示波器显示屏上看到（图 3）。

　　图 3 SEU 复原，此中 RC 耽误现已排除。