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探索光耦合器替代方案

时间:2024-04-22 16:37:09

  电容式和磁性断绝等手艺已成为替换手艺,与光耦合器相比,可提供更好的团体功能。德州仪器 (TI) 自 2000 年月早期以来始终投资于基于二氧化硅 (SiO2) 的数字断绝手艺,供应的数字隔离器产物可提供与光耦合器沟通的性能,并拥有一些怪异的上风。
  减少差距:引入光电仿真器
  Texas Instruments 光仿真器连系了传统光耦合器和 TI 基于 SiO2 的断绝手艺的好处。光仿真器与业界的光耦合器引脚对引脚兼容,有助于无缝集成到现有设想中,同时供应等效的旌旗灯号行动。从设想工程师的角度来看,这些产物的表面和行动就像光耦合器,但应用 TI 的 SiO2 手艺作为隔离层。经由过程该樊篱无效反对低压旌旗灯号并避免接地环路(确保体系安全性和稳定性),您可以应用 SiO2 断绝的上风,包孕加强的电气特点、进步的低压可靠性以及集成其余体系性能的后劲。经由过程制造这类范例的半导体产物,图片由博多电力体系供应 

  传统光耦合器应用 LED 穿过断绝栅传输数字或模仿信息,此中光电晶体管检测另一侧的旌旗灯号,如图 1 所示。众所周知,光耦合器中应用的 LED 会老化或退步。影响他们的终身。这个属性让体系设计者异常头疼,也是咱们听到的个埋怨。另外,光耦合器中应用的绝缘资料局限从空气到环氧树脂或模制化合物。表 1 表现了光耦合器与应用 SiO2 电介质的光仿真器的断绝强度差别。

  图 1. 典范光耦合器布局。图片由博多电力体系供应
  表1. 种种绝缘资料的介电强度

 

  经由过程应用基于 SiO2 的断绝栅来完成旌旗灯号断绝的光仿真器,能够防止这两个罕见的光耦合器陷阱。图 2 表现了 TI 光仿真器的外部布局,此中在发送和接受电路上仿真传统光耦合器的性能行动,而且 SiO2 供应低压断绝。

  图 2.  TI 数字隔离器的组织。图片由博多电力体系供应 [PDF]
  光仿真器的好处
  经由过程集成进步前辈的断绝手艺,光仿真器能够降服与传统光耦合器相干的限定,从而完成卓着的功能和可靠性。让我们接头一下光仿真器的一些好处:
  更低的功耗
  传统光耦合器需求预先举行适度设想,以赞助赔偿 LED 弗成防止的老化效应,从而在全部设想性命周期内需求额定的正向电流 (IF)。TI 光仿真器可提供低得多的 IF 和电源电流,从而节减高达 80% 的功率估算。
  改良的共模瞬态抗扰度
  尽管罕见数字光耦合器指定约 15 kV/μs 的共模瞬态抗扰度 (CMTI),但 ISOM8710 的 CMTI 为 125 kV/μs,使其可以或许用于拥有极高共模开关噪声或高振铃的使用乐音。
  稳固且严峻的电流传输比
  忘记为更严峻的电流传输比 (CTR) 局限领取额定用度的日子。ISOM8110 等 TI 光仿真器标配种种严峻的 CTR 局限,这些范围在全部温度范围内都很稳固。
  倏地数据速度
  典范的高速光耦合器支撑 1 Mbps 至 10 Mbps 的数据速度,而 ISOM8710 支撑 25 Mbps。这类支撑可完成更高的吞吐量,并同意在种种高速使用中使用光仿真器。
  带宽
  ISOM8110 支撑 680 kHz 的高带宽,从而可以或许减小逼迫磁性元件(电感器和变压器)的尺寸。宽带宽可以或许改良次级侧稳压反激转换器的瞬态呼应。改良的瞬态呼应能够减小输入电容器的尺寸,开释电路板空间并下降整体体系本钱,特别是在高开关频次氮化镓设想中。
  宽温度局限
  普通光耦合器支撑的温度局限为 0°C 至 +85°C。尽管某些光耦合器支撑更宽的温度局限,但该性能需求额定的本钱。TI 光仿真器作为规范产物支撑 –55°C 至 +125°C 的温度局限,而且将于 2024 年推出更多吻合汽车规范的器件。
  靠得住断绝
  光仿真器改进了低压性能,使其适宜需求靠得住断绝的使用。TI 光仿真器应用 SiO2 作为绝缘层,供应 500 V/μm 的断绝,显然强于许多光耦合器中应用的氛围 (1 V/μm)。
  光仿真器要点
  光仿真器代表了旌旗灯号断绝手艺的庞大前进,它将人们熟习的光耦合器与基于 SiO2 的断绝的好处连系起来。这些设置装备摆设使您可以或许餍足当代体系的需要,确保加强的功能、可靠性和安全性。经由过程利用光仿真器,您能够优化您的设想并拥抱断绝手艺的前进。



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