意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效

2024 年 3 月 28 日，中国– STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 为车载充电机(OBC)和接纳软硬件开关拓扑的使用带来卓着的能效和鲁棒性。

这些硅基晶体管拥有卓越的单元芯片面积导通电阻RDS(on)和异常低的栅极电荷，兼备很低的能量消耗和优秀的开关功能，同时，质量因数成为新的市场标杆。与上一代产物相比，意法半导体最新的MDmesh DM9 手艺确保栅源阈值电压(VGS(th)) 漫衍更窄，使开关波形加倍锋利，导通和关断消耗更低。

另外，新产品还提高了体二极管反向复原功能，所接纳新的优化工艺提高了 的团体鲁棒性。体二极管的低反向复原电荷 (Qrr) 和倏地复原时候 (trr) 使MDmesh DM9 AG系列异常适对能效请求很高的相移零压开关拓扑。

该系列供应种种通孔和外貌贴装封装，赞助设想职员完成紧凑的形状尺寸、高功率密度和体系可靠性。TO-247 LL(长引线)是一种深受市场接待的通孔封装，能够简化器件在设想中的集成，并相沿成熟的封装工艺。在外貌贴装封装中，H2PAK-2(2 引线)和 H2PAK-7(7 引线)适用于有散热基板的底部散热设想或有热通孔或其余加强散热性能的 PCB板。两款新产品还供应 HU3PAK和ACEPACK™ SMIT顶部散热外貌贴装封装。

STPOWER MDmesh DM9 AG系列的第一款产物STH60N099DM9-2AG，是一款接纳H2PAK-2封装吻合 AEC-Q101规范的 27A N沟道 600V 器件，典范导通电阻 RDS(on) 为 76mΩ。 意法半导体将扩充该产物系列，供应型号齐备的产物，涵盖更宽的额外电流局限和 23mΩ 到 150mΩ 的 导通电阻RDS(on)。

STH60N099DM9-2AG已上架意法半导体电子商城ST eStore。