Microchip推出容量更大、速度更快的串行 SRAM产品线

为餍足客户对更大更快的 的广泛需要，Microchip Technology(微芯科技公司)扩大了旗下串行SRAM产品线，容量最高可达4 Mb，并将串行外设接口/串行四通道输出/输入接口(SPI/SQI™)的速率提高到143 MHz。新产品线包孕供应2 Mb和4 Mb两种分歧容量的器件，旨在为传统的并行SRAM产物供应本钱更低的替换计划，并在SRAM中包括可选的电池备份切换电路，以便在断电时保留数据。

并行RAM需求大型封装和至多26-35个单片机()I/O接口，而Microchip串行SRAM器件接纳本钱较低的8引脚封装，并接纳高速SPI/SQI通讯总线，只需要4-6 个MCU I/O 引脚即可轻松集成。这减少了对更低廉、高引脚数MCU的需要，有助于最大限度地缩小全部电路板的尺寸。

2 Mb和4 Mb串行SRAM 器件解决了串行SRAM最常见的瑕玷——并行比串行存储器快，经由过程可选的四通道SPI(每一个时钟周期 4 位)，将总线速率提高到143 MHz，大大缩小了串行和并行解决计划之间的速率差距。

Microchip存储器产物业务部总监Jeff Leasure暗示：“关于需要比板载RAM更多的RAM但又但愿下降本钱和减小电路板总尺寸的工程师来讲，串行SRAM是一种很受接待的解决计划。Microchip的2 Mb和4 Mb串行SRAM器件旨在以轻便且拥有本钱效益的替换计划庖代低廉的并行 SRAM。”

这些小尺寸、低功耗、高性能串行器件拥有有限的耐用性和零写入时候，是触及继续数据传输、缓冲、数据记载、计量以及其余数学和数据密集型性能的使用的绝佳抉择。这些器件的容量从64 Kb到4 Mb不等，支撑 SPI、SDI 和 SQI 总线模式。请造访Microchip存储器产物页面，懂得公司的所有产物。