AP内存APSx双数据率八进制SPI psams的介绍、特性、及应用
时间：2025-05-03 19:07:10
AP内存APSx双数据速度(DDR)八进制SPI psram拥有1.62V(DD)到1.98V(DD)单电源电压局限，时钟速度高达200MHz (400MBps读/写吞吐量)，和软件复位。这些设置装备摆设还具有用于写操纵的数据掩码(DM)，用于高速读操纵的数据频闪(DQS)，以及拥有可编程驱动器强度的输入驱动器LVCMOS。带有DDR OctaRAM模式的八进制SPI是可字节寻址的，并在-40°C到85°C的温度范围内事情。这些设置装备摆设可在mini-BGA 24L 6mm x 8mm x 1.2mm封装。
特点
单电源电压:
1.62 v (DD) 1.98 v (DD)
1.62 v (DDQ) 1.98 v (DDQ)
时钟速度高达200MHz (400MBps读/写吞吐量)
接口:
带有DDR模式的八进制SPI，每个时钟周期传输两个字节
软件复位
-40°C至85°C的事情温度局限
APS6408L-OCH-BA
主动温度赔偿自清爽(ATCSR)内置温度传感器
最大1024字节
最低2字节
300μ@ 105°C
200μ@ 85°C
100μ@ 25°C
64Mb, 8M x 8位，1024字节的页面巨细
构造:
最大备用电流:
写突发长度:
包装和混杂迸发16/32/64/128长度
低功耗特色:
写操纵的DM (Data Mask)
用于高速读操纵的数据频闪(DQS)
输入驱动器LVCMOS拥有可编程驱动器强度
APS25608N-OCH-BD APS51208N-OCH-BD:
部份阵列自革新(PASR)
主动温度赔偿自新颖(ATCSR)由内置温度传感器自我治理
超低功率半休眠模式，数据保留
1100μ@ 105°C
680μ@ 85°C
256Mb, 32M x 8位，每页2048字节
AY0 ~ AY10列地点
AX0到AX13行地点
构造:
最大备用电流:
低功耗特色:
写入突发长度，最大2048字节，最小2字节
包装和混杂迸发16/32/64/2K长度
