Bourns型BID绝缘栅双极晶体管的介绍、特性、及应用
时间：2025-04-29 05:07:10
Bourns型号BID绝缘栅双极晶体管(igbt)连系了MOSFET栅和双极晶体管的手艺，设想用于高电压/大电流使用。BID型igbt接纳进步前辈的沟槽-栅场休止手艺，能够更好地操纵静态特点，从而下降集电极-发射极饱和电压，缩小开关消耗。igbt的事情温度局限为-55°C至+150°C，可提供to -252、to -247和to - 247n封装。这些热效率组件供应了较低的热阻，使它们适合于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)和功率因数校订(PFC)使用的IGBT解决计划。
特点
BIDD05N60T
600V, 5A，低集极-发射极饱和电压
Trench-Gate视场光阑手艺
优化导电
茁壮的,- 252包
经由过程无铅认证
BIDW20N60T
600V, 20A，低集极-发射极饱和电压
Trench-Gate视场光阑手艺
优化导电
低开关消耗
- 247包
经由过程无铅认证
BIDW30N60T
600V, 30A，低集极-发射极饱和电压
Trench-Gate视场光阑手艺
优化导电
- 247包
经由过程无铅认证
BIDW50N65T
600V, 50A，低集极-发射极饱和电压
Trench-Gate视场光阑手艺
优化导电
- 247包
经由过程无铅认证
BIDNW30N60H3
600V, 30A，低集极-发射极饱和电压
Trench-Gate视场光阑手艺
低开关消耗
倏地切换
- 247 n包
经由过程无铅认证
使用步伐
开关模式电源(SMPS)
不间断电源(UPS)
功率因数校订(PFC)
逆变器(仅BIDW50N65T)
感应加热(只适用于BIDW30N60T和BIDNW30N60H3)
步进机电(仅适用于BIDW20N60T)
