Qorvo QPD2120D 1200 μ m离散GaAs pHEMT的介绍、特性、及应用
时间：2025-04-17 04:37:10
Qorvo QPD2120D 1200 μ m离散GaAs pHEMT(伪晶高电子迁移率晶体管)拥有直流至20GHz的事情频次。QPD2120D通常在P1dB时供应31dBm输入功率，增益11.5dB, 1dB收缩时功率增添服从57%。这类性能使QPD2120D适合于高效率的使用。
QPD2120D接纳0.25 μ m功率的pHEMT出产工艺设想。该工艺拥有进步前辈的手艺，以优化微波功率和服从在高漏偏操纵条件下。
Qorvo qpd220d GaAs pHEMT供应0.41mm x 0.54mm x 0.10mm裸模。该装配拥有氮化硅维护涂层，拥有高的环境鲁棒性和防刮性。
特点
直流到20GHz的频次局限
31dBm典范输入功率P1dB
11dB典范增益在12GHz
57%的典范PAE在12GHz
1dB典范噪声因子在12GHz
8 v漏极电压
194毫安漏极电流
0.25 μ m GaAs pHEMT工艺
0.41mm x 0.54mm x 0.10mm裸模
无卤、无铅、吻合RoHS规范
使用步伐
通讯
雷达
点对点无线电
卫星通讯
